2025-08-13 00:39:08
该媒体指出，该工艺不仅刷新了行业标准，也为DDR5和高带宽存储（HBM）产品带来更高性能。亚汇网援引博文介绍，EUV技术采用13.5纳米波长，可在电路中实现更精细的结构刻画，减少多重图案化（multi-patterning）步骤。传统DRAM制造多采用EUV与深紫外（DUV）工艺混合，而SK海力士此次在1cDRAM全面采用六层EUV工艺，不仅可以简化生产流程，而且有助于提升产品良品率和利润率。该媒体认为在新一轮技术竞赛中，SK海力士此举不仅巩固了其在存储市场的领先地位，也为其与三星等竞争对手的较量增添了新优势。1cDRAM目前尚未广泛应用于主流消费级内存，但SK海力士正积极探索其在更大容量DDR5及HBM产品中的可能性。消息称SK海力士将持续加码EUV工艺布局，为后续1d、0a等新一代DRAM产品全面引入EUV，最终推动高数值孔径（High-NA）EUV技术的集成。通过EUV工艺，SK海力士能够生产更高密度、更高速、更节能的DDR5及高容量HBM芯片，显著提升产能和良品率，尤其在HBM4等未来产品中，1cDRAM的应用有望带来性能与容量的双重突破，为人工智能、高性能计算等领域提供更强支撑。广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，亚汇网所有文章均包含本声明。
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