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英特尔代工携手 ASML 完成首台“二代”High NA EUV 光刻机验收测试

文 / 小亚 2025-12-16 12:01:47 来源:亚汇网

相较主要用于工艺前期研发的“一代”机型EXE:5000,EXE:5200B身上的“量产用设备”味道更浓:其配备了更高功率/剂量的EUV光源,晶圆吞吐量提升到每小时175块;套刻精度提升至0.7nm;此外通过新的晶圆存储结构提升了整体效果的稳定性。英特尔代工还在同一篇博客中提到,在2025IEEEIEDM上,其与imec合作展示了对2DFET材料氧化物帽层的选择性凹陷刻蚀以及在12英寸试生产线中制造的具有大马士革型顶接触的晶体管。广告声明:文内含有的对外跳转链接(包括不限于超链接、二维码、口令等形式),用于传递更多信息,节省甄选时间,结果仅供参考,亚汇网所有文章均包含本声明。

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